①利用萬用表選擇合適的擋位。為了提高測量精度，應根據(jù)電阻標稱值的大小選擇擋位。應使指針的指示值盡可能落到刻度的中段位置（即全刻度起始的20%~80%弧度范圍內），以使測量數(shù)據(jù)更準確。

根據(jù)電阻的標稱讀取標稱阻值。打開萬用表擋位開關，并根據(jù)電阻的標稱阻值將萬用表調到合適的歐姆擋位，如圖152所示。

②利用萬用表校零。

紅、黑表筆短接，調整微調旋鈕，使萬用表指針指向0Ω的位置，然后再進行測試。

使用指針式萬用表檢測時，還需要執(zhí)行將表針校（調）零這一關鍵步驟，方法是將萬用表置于某一歐姆擋后，紅、黑表筆短接，調整微調旋鈕，使萬用表指針指向0Ω的位置，然后再進行測試。

注意：每選擇一次量程，都需要重新進行歐姆校零。校零示意圖如圖153所示。

圖153校零示意圖

③用萬用表測量與讀數(shù)。

將兩表筆（不分正負）分別與電阻的兩端引腳相接即可測出實際電阻值。測量時，待表針停穩(wěn)后讀取讀數(shù)，然后乘以倍率，就是所測的電阻值。

通常，指針式萬用表的歐姆擋位分為五擋，其指針所指數(shù)值與擋位相乘即為被測電阻的實際阻值。在觀測被測電阻的阻值讀數(shù)時，兩眼應位于萬用表的正上方（即眼睛應垂直觀測萬用表），若表盤內有弧形反射鏡，則看到指針與其鏡中的影像重合時方可讀數(shù)。若指針位于兩條刻度線之間，則除了將刻度線所代表的阻值讀出外，還應再估計一下刻度間的數(shù)值，如圖154所示。

圖154測量與讀數(shù)

總結：若萬用表測得的阻值與電阻標稱阻值相等或在電阻的誤差范圍之內，則電阻正常；若兩者之間出現(xiàn)較大偏差，即萬用表顯示的實際阻值超出電阻的誤差范圍，則該電阻不良；若萬用表測得電阻值為無窮大（斷路）、阻值為零（短路）或不穩(wěn)定，則表明該電阻已損壞，不能再繼續(xù)使用。

注意：由于人體是具有一定阻值的導電電阻，所以在檢測電阻時手不要同時觸及電阻兩端引腳，以免在被測電阻上并聯(lián)人體電阻，造成測量誤差，如圖155所示。

體積越來越小，容量越來越大在如今這個信息時代，存儲信息的硬盤自然而然被人們寄予了這樣的期待。得益于巨磁電阻效應這一重大發(fā)現(xiàn)，最近20多年來，我們開始能夠在筆記本電腦、音樂播放器等所安裝的越來越小的硬盤中存儲海量信息。

瑞典皇家科學院9日宣布，將2007年諾貝爾物理學獎授予法國科學家阿爾貝·費爾和德國科學家彼得·格林貝格爾，以表彰他們發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻效應。瑞典皇家科學院說：今年的物理學獎授予用于讀取硬盤數(shù)據(jù)的技術，得益于這項技術，硬盤在近年來迅速變得越來越小。

通常說的硬盤也被稱為磁盤，這是因為在硬盤中是利用磁介質來存儲信息的。一般而言，在密封的硬盤內腔中有若干個磁盤片，磁盤片的每一面都被以轉軸為軸心、以一定的磁密度為間隔劃分成多個磁道，每個磁道又進而被劃分為若干個扇區(qū)。磁盤片的每個磁盤面都相應有一個數(shù)據(jù)讀出頭。

簡單地說，當數(shù)據(jù)讀出頭掃描過磁盤面的各個區(qū)域時，各個區(qū)域中記錄的不同磁信號就被轉換成電信號，電信號的變化進而被表達為0和1，成為所有信息的原始譯碼。

伴隨著信息數(shù)字化的大潮，人們開始尋求不斷縮小硬盤體積同時提高硬盤容量的技術。1988年，費爾和格林貝格爾各自獨立發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻效應，也就是說，非常弱小的磁性變化就能導致巨大電阻變化的特殊效應。

這一發(fā)現(xiàn)解決了制造大容量小硬盤最棘手的問題：當硬盤體積不斷變小，容量卻不斷變大時，勢必要求磁盤上每一個被劃分出來的獨立區(qū)域越來越小，這些區(qū)域所記錄的磁信號也就越來越弱。借助巨磁電阻效應，人們才得以制造出更加靈敏的數(shù)據(jù)讀出頭，使越來越弱的磁信號依然能夠被清晰讀出，并且轉換成清晰的電流變化。

1997年，第一個基于巨磁電阻效應的數(shù)據(jù)讀出頭問世，并很快引發(fā)了硬盤的大容量、小型化革命。如今，

筆記本電腦、音樂

播放器等各類數(shù)碼電子產品中所裝備的硬盤，基本上都應用了巨磁電阻效應，這一技術已然成為新的標準。

瑞典皇家科學院的公報介紹說，另外一項發(fā)明于上世紀70年代的技術，即制造不同材料的超薄層的技術，使得人們有望制造出只有幾個原子厚度的薄層結構。由于數(shù)據(jù)讀出頭是由多層不同材料薄膜構成的結構，因而只要在巨磁電阻效應依然起作用的尺度范圍內，科學家未來將能夠進一步縮小硬盤體積，提高硬盤容量。