通過碳泄露（涓滴）穿過金屬裂縫，研究人員在襯底上直接制造了石墨烯。這種多用途的工藝使石墨烯幾乎可在任何與電子工業(yè)相關(guān)的半導體或電介質(zhì)基片上生長，而且更節(jié)約成本。

“這可能是石墨烯應用的一個游戲改變者。”芝加哥Illinois大學（UIC）化學工程系主任VikasBerry說。石墨烯是一個SP2雜化碳原子二維網(wǎng)絡，由于其超快的載流子遷移率、高的機械強度和高的光學透明性，它在納米電子學、光電子學和光子學中具有很好的應用前景。石墨烯電子學目前面臨的挑戰(zhàn)是石墨烯從金屬轉(zhuǎn)移到所需的襯底上時容易被污染。這種轉(zhuǎn)移過程引入了石墨烯中多余的缺陷，如聚合物雜質(zhì)的吸附和表面波紋。

美國芝加哥Illinois大學（UIC）和SunEdison半導體公司的研究人員開發(fā)了一種工藝流程，稱為“碳自由基的晶界擴散”，用于有效地在任何半導體或絕緣固體襯底上進行石墨烯的無遷移生長。在這里，甲烷（或其他碳源）分子在真空和加熱爐中與襯底上沉積的金屬解離。甲烷解離產(chǎn)生的碳自由基通過金屬的晶界擴散，然后在金屬和底層襯底的界面上形成石墨烯。這種生長策略適合用于工業(yè)應用中大規(guī)模石墨烯的生產(chǎn)。