在電路板上除了要體現(xiàn)電路的邏輯或功能確保LVS驗(yàn)證正確外，還要增加一些與LVS（電路匹配）無(wú)關(guān)的電阻，以減小中間過(guò)程中的偏差，我們通常稱(chēng)這些電阻為dummy電阻。

1、保證可制造性，防止芯片在制造過(guò)程中由于曝光過(guò)渡或不足而導(dǎo)致的蝕刻失?。喝缭趖apeout的時(shí)候會(huì)檢查芯片的density，插入dummymetal、dummypoly、dummydiff等；

2、避免由于光刻過(guò)程中光的反射與衍射而影響到關(guān)鍵元器件物理圖形的精度進(jìn)又而影響其size：如在模擬電路的電阻、電容陣列外圍加上dummyres和dummycap等，以及關(guān)鍵MOS附近加dummyMOS等；

3、避免芯片中的noise對(duì)關(guān)鍵信號(hào)的影響，在關(guān)鍵信號(hào)的周?chē)由蟙ummyrouTInglayer后者dummy元器件：如對(duì)于某些易受干擾的信號(hào)線(xiàn)除了盡量減小其走線(xiàn)長(zhǎng)度外，還應(yīng)該在其走線(xiàn)的左右和上下都加上dummymetal/poly并接地，保證其不受noise的影響。在cap外圍加dummycap也有類(lèi)似的作用。

電阻的dummy是保證處于邊緣的電阻與其他電阻蝕刻環(huán)境一樣。

電阻dummy兩頭接地vssx。

在匹配電路的mos管左右畫(huà)上dummy，用poly，poly的尺寸與管子尺寸一樣，dummy與相鄰的第一個(gè)polygate的間距等于polygate之間的間距。

金屬層dummy要和金屬走向一致，即如果M2橫走，M2的dummy也是橫走向。

多個(gè)電阻（大于兩根）打上DUMMY。保證每根電阻在光刻時(shí)所處的環(huán)境一樣，最外面的電阻的NpIM層要超出EpOLY20.55um，即兩根電阻間距的一半。

消除電阻dummy的lvs報(bào)錯(cuò)，把nimp和Rpdummy層移出最邊緣的電阻，不要覆蓋dummy。