光敏電阻photoresistor（光導效應）在無光照的情況下電阻值比較高，當它受到光照的情況下，阻值下降跟多，導電性能明顯加強。光敏電阻的主要參數(shù)有暗電阻，暗電流，與之對應的是亮電阻，亮電流。它們分別是在有光和無光條件下的所測的數(shù)值。亮電阻與暗電阻差值越大越好。在選擇光敏電阻的時候還要注意它的光照特性，光譜特性。響應速度不快，在ms到s之間，延遲時間受入射光的光照度影響（光電二極管無此缺點，光電二極管靈敏度比光敏電阻高），一般以S，Se，Te的金屬化合物為主（實際上原始周期表中O，S，Se，Te處于同一列，Zn，Cd，Hg也處于同一列）。有單晶和多晶。

光電二極管photodiode（光伏效應）在無光照的條件下，其工作在截至狀態(tài)，跟一般的二極管特性差不多，都具有單向?qū)ㄐ阅?。當受到光照時，pN區(qū)載流子濃度大大增加，載流子流動形成光電流。

1.電阻橋定義解釋

惠斯通電橋是由四個電阻組成的電橋電路，這四個電阻分別叫做電橋的橋臂，惠斯通電橋利用電阻的變化來測量物理量的變化，單片機采集可變電阻兩端的電壓然后處理，就可以計算出相應的物理量的變化，是一種精度很高的測量方式。其電路形式如下圖所示。

在電橋中有三個電阻阻值是固定的分別為R1，R2，R3，第四個電阻是可變的為Rx，Rx發(fā)生變化時，圖中B，D兩點之間的電壓發(fā)生變化，通過采集電壓的變化就可以知道環(huán)境中物理量的變化，而從實現(xiàn)測量的目的。下面舉例介紹電橋電路的計算方式。

2.電阻橋相關(guān)計算

假設(shè)流過R1，R2橋臂的電流為I1，流過R3，Rx橋臂的電流為I2，電橋供電電壓為VCC，如下圖所示。

通過歐姆定律可以計算出每個電阻兩端的電壓。在R1和R2這兩個橋臂上，R1，R2將VCC電壓分壓，R2電阻兩端得到的電壓即為V1；在R3和Rx這個橋臂上，R3，Rx將VCC電壓分壓，R3電阻兩端得到的電壓即為V2。下面分別用歐姆定律計算V1和V2。

流過電阻R1和R2的電流I1：

R2兩端的電壓V1：

流過電阻R3和Rx的電流I2：

R3兩端的電壓：

V1和V2的電壓差：

由此可以看出：

如果4個電阻都相等，即R1=R2=R3=Rx，那么ΔV=0，即電橋處于平衡狀態(tài)；

Rx發(fā)生變化會導致△V發(fā)生變化；

3.電阻橋的應用

在實際使用中，我們通常將其中三個電阻值固定，而將另外一個電阻換成熱敏電阻、壓敏電阻、pT100等，這時候就可以用電橋來測物理量了。如果將pT100接入電橋，隨著環(huán)境溫度的變化，pT100的阻值發(fā)生變化導致ΔV發(fā)生變化，將差分電壓ΔV通過差分運放放大后進入單片機的AD采樣，再對照pT100的電阻-溫度對應表就可以知道當前環(huán)境的溫度了。