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關于MOSFET驅(qū)動電阻的選擇

鉅大鋰電  |  點擊量:0  |  2019年08月20日  

L為pCB走線電感,根據(jù)他人經(jīng)驗其值為直走線1nH/mm,考慮其他走線因素,取L=Length+10(nH),其中Length單位取mm。


Rg為柵極驅(qū)動電阻,設驅(qū)動信號為12V峰值的方波。


Cgs為MOSFET柵源極電容,不同的管子及不同的驅(qū)動電壓時會不一樣,這兒取1nF。


VL+VRg+VCgs=12V


計算式


這是個3階系統(tǒng),當其極點為3個不同實根時是個過阻尼震蕩,有兩個相同實根時是臨界阻尼震蕩,當有虛根時是欠阻尼震蕩,此時會在MOSFET柵極產(chǎn)生上下震蕩的波形,這是我們不希望看到的,因此柵極電阻Rg阻值的選擇要使其工作在臨界阻尼和過阻尼狀態(tài),考慮到參數(shù)誤差實際上都是工作在過阻尼狀態(tài)。


根據(jù)以上得到


計算式


因此根據(jù)走線長度可以得到Rg最小取值范圍。


等效驅(qū)動電路圖


分別考慮20m長m和70mm長的走線:L20=30nH,L70=80nH,則Rg20=8.94Ω,Rg70=17.89Ω,


以下分別是電壓電流波形:



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