1）區(qū)域熔煉法

以高純多晶硅為原料，制成棒狀，并將多晶硅棒垂直固定，在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的單晶硅，作為單晶生長的的籽晶，其晶相一般為<111>或<100>，然后在真空或惰性氣體下，利用高頻感應(yīng)線圈加熱多晶棒，使多晶硅棒部分區(qū)域形成熔區(qū)，并依靠熔區(qū)的表面張力保持多晶硅棒的平衡和晶體生長的順利進(jìn)行。晶體生長首先從多晶硅棒和籽晶的結(jié)合處開始，多晶硅棒和籽晶以一定的速度做相反方向的運(yùn)動，熔區(qū)從下端沿著多晶硅棒緩慢向上端移動，使多晶硅逐步轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉Ч琛?/p>

2）直拉法

直拉單晶硅生產(chǎn)工藝流程圖