硅單晶的制備方法：按拉制方法不同分為無坩堝區(qū)熔(FZ)法與有坩堝直拉(CZ)法。區(qū)熔拉制的單晶不受坩堝污染，純度較高，適于生產電阻率高于20歐/厘米的N型硅單晶（包括中子嬗變摻雜單晶）和高阻 P型硅單晶。由于含氧量低，區(qū)熔單晶機械強度較差。大量區(qū)熔單晶用于制造高壓整流器、晶體閘流管、高壓晶體管等器件。直接法易于獲得大直徑單晶，但純度低于區(qū)熔單晶，適于生產20歐/厘米以下的硅單晶。由于含氧量高,直拉單晶機械強度較好。大量直拉單晶用于制造MOS集成電路、大功率晶體管等器件。外延片襯底單晶也用直拉法生產。硅單晶商品多制成拋光片，但對FZ單晶片與CZ單晶片須加以區(qū)別。外延片是在硅單晶片襯底（或尖晶石、藍寶石等絕緣襯底）上外延生長硅單晶薄層而制成，大量用于制造雙極型集成電路、高頻晶體管、小功率晶體管等器件。 目前，市場上所供應的單晶硅多是以有坩堝直拉(CZ)法制備而成的，下面是直拉硅單晶生長控制主要過程示意圖：