石墨烯作為最薄的分子屏障，如果引入高密度分布的納米孔，可以通過尺寸篩選機制高選擇性分離氣體，同時產(chǎn)生比聚合物和納米孔膜高幾個數(shù)量級的高透過率。現(xiàn)今氣體篩分膜面臨的最大瓶頸就是如何實現(xiàn)高密度與窄尺寸分布兼得的納米孔？

洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院的K.V.Agrawal課題組借鑒石墨烯晶體成核、生長的機理，利用O2和O3等離子體兩步刻蝕，分別從缺陷成核、孔生長入手，在單層石墨烯上精確制備出高密度、窄尺寸分布的納米孔，并實現(xiàn)了破紀錄的氣體篩分性能。在這種合成方法中，第一步是將單層石墨烯暴露在O2等離子體中刻蝕，使得石墨烯中的缺陷密度增加達20倍。而H2的透過率僅增加6倍，這是因為此時大部分缺陷（<0.29nm）對氫氣傳輸沒有貢獻。第二步是引入O3等離子體對石墨烯缺陷進行原位擴大，通過調(diào)節(jié)刻蝕時間與溫度，獲得高密度且孔徑小于0.38nm的納米孔，實現(xiàn)了H2/CH4分離系數(shù)從15.6到25.1、H2/C3H8分離系數(shù)從38.0到57.8的新突破。

本文提出了一種簡單直觀的調(diào)節(jié)石墨烯孔徑的方法，除了氣體分離，該方法制備的納米孔還可以考慮應(yīng)用于傳感、催化、能量儲存等領(lǐng)域。