在東京VLSI技術與電路2017研討會上公布的最新架構，可謂IBM公司過去十年以來同GlobalFoundries、三星以及其它多家設備供應商合作開發(fā)而成的關鍵性成果。根據研究人員們的介紹，相較于FinFET，這套新架構的運行功耗更低。

IBM/GlobalFoundries/三星共同打造的革命性5納米納米片晶體管，其憑借著四路多面柵能夠為手機設備提到2到3天的電池續(xù)航能力。

該聯(lián)盟解釋稱，這項革命性突破應該能夠使得智能手機以及其它類似的電池供電型移動設備在一次充電后正常運行2到3天;另外，其還能夠提高人工智能（簡稱AI）、虛擬現(xiàn)實甚至是超級計算機的性能水平。

研究人員們指出，在成功開發(fā)出包含200億個晶體管的7納米測試芯片之后不到兩年當中，他們已經在這塊只有指甲大小且擁有四重多面柵的芯片中塞進多達300億個晶體管。測試結果表明，與目前最為先進的10納米芯片相比，其性能提升了40%（與7納米FinFET基本相同），或者將功耗水平降低75%。

根據IBM公司的說明，這項突破性5納米技術能夠利用更為強大的性能提升認知計算能力，改善云計算與深度學習的數(shù)據吞吐量水平并幫助各類移動物聯(lián)網（簡稱IoT）設備獲得更低功耗與更高電池續(xù)航時長。

IBM公司的科學家們在位于紐約州奧爾巴尼的紐約州立大學納米科學與納米工程技術綜合中心內對5納米硅納米片晶體管晶圓進行測試，旨在評估這項業(yè)界首創(chuàng)的制程工藝。

為了實現(xiàn)技術突破，該技術聯(lián)盟必須克服干擾EUV（即極紫外線）光刻工藝的各類問題――事實上，此項光刻技術已經被應用于7納米FinFET芯片的制造當中。EUV除了擁有波長較短這一優(yōu)勢之外，研究聯(lián)盟還發(fā)現(xiàn)了在芯片設計與制造階段中不斷調整其納米片寬度的辦法。研究人員們表示，F(xiàn)inFET的性能與功率不具備微調可能性――這主要是由于FinFET受翅片高度的限制而無法增加通過電流，因此不能提供更高的性能。

科學家與工程師在位于紐約州奧爾巴尼的納米技術綜合中心之內監(jiān)督EUV光刻工具在此番業(yè)界首創(chuàng)工藝中的實際使用，旨在確保由此構建起5納米硅納米片芯片。

IBM公司認為，其納米片結構在歷史地位上將等同于單單元DRAM、化學放大光電抗蝕劑、銅互連、硅絕緣體、應變材料、多核心處理器、渲染光刻、高k電介質、嵌入式DRAM、3D芯片堆疊以及氣隙絕緣子等技術成果。

Globalfoundries公司首席技術官兼全球研發(fā)工作負責人GaryPatton用“開創(chuàng)性”來形容此項公告，并表示該公司正在積極追求5納米以及下一代芯片制造技術。

位于紐約州奧爾巴尼的紐約州立大學納米科學與納米工程技術綜合中心亦為IBM、GlobalFoundries以及三星的5納米納米片晶體管架構的研發(fā)工作作出了巨大貢獻。