早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以新增對入射光的吸收，但該方法均需先單獨(dú)采用熱氧化方法生長一層10～20umSiO2使硅片表面非晶化、且對多晶效果不理想。SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對硅的腐蝕抑制Ag的擴(kuò)散速度從而使后續(xù)快燒工藝溫度范圍更寬易于調(diào)節(jié)，而且致密的SixNy膜層是有害雜質(zhì)良好的阻擋層。同時生成的氫原子對硅片具有表面鈍化與體鈍化的雙重用途，可以很好地修復(fù)硅中的位錯、表面懸掛鍵，提高了硅片中載流子的遷移率因而迅速成為高效電池生產(chǎn)的主流技術(shù)。雙層SiN減反射膜，通過控制各膜層中硅的富集率實現(xiàn)了5.5%的反射率;而另一種SiN與SiO混合膜，其反射率更是低至4.4%，目前廣泛采用的單層SiN膜減反射率最優(yōu)為10.4%.

在電池背面生長一層10～30nmSiN膜以期最大限度對電池進(jìn)行鈍化與缺陷的修復(fù)從而提高電池的效率是目前的一個熱點(diǎn)課題，由于該技術(shù)牽涉到與后面的絲網(wǎng)印刷技術(shù)、電極漿料技術(shù)及燒結(jié)工藝的配合目前尚處于實驗研究階段，但它肯定是今后的一個發(fā)展趨勢。

匹配封裝材料對光譜的折射率定制減反射膜以獲得最佳的實際使用效果是光伏公司技術(shù)實力的體現(xiàn)!如何減少電磁波對電池表面pN結(jié)輻射損傷以及損傷的有效修復(fù)是該工藝的核心技術(shù)，處理不好往往導(dǎo)致電池效率一致性較差。裝備方面有持續(xù)式間接HF-pECVD、管式直接LF-pECVD。