本文主要介紹開關(guān)電源的同步與非同步整流，及其各自的特點(diǎn)。

同步是采用導(dǎo)通電阻極低的專用功率MOSFET，來取代續(xù)流二極管以降低整流損耗。能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而造成的死區(qū)電壓。功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線性關(guān)系。用功率MOSFET做整流器時(shí)，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。

非同步的特點(diǎn)：

在輸出電流變化的情況下，二極管壓降相對(duì)較恒定

當(dāng)續(xù)流二極管正向?qū)〞r(shí)，輸出電流變化，二極管的正向壓降是恒定不變的，鍺管的壓降為0.3V，硅管的壓降為0.7V。

效率偏低

因?yàn)槎O管的電壓降恒定，所以當(dāng)流過二極管的電流很大的時(shí)候，原本在二極管上很小的電壓再乘以電流之后，輸出的電壓很低的時(shí)候，這時(shí)候的二極管的小電壓降就占了很大的比重，它的消耗功率就很可觀了，所以在大電流的時(shí)候效率就會(huì)減低了。

成本較低

同等條件下，二極管的價(jià)格比MOS管會(huì)便宜。

比較適宜較高的輸出電壓

在輸出電壓比較高的時(shí)候使用是比較好的，因?yàn)樵谳敵鲭妷焊邥r(shí)，二極管的正向?qū)▔航邓嫉谋戎鼐秃苄?，?duì)效率的影響就比較低，而且它的電路結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，不需要外加控制電路，生產(chǎn)的工藝流程也會(huì)比較簡(jiǎn)單。

同步的特點(diǎn)：

MOSFET具有較低的壓降

MOSFET的導(dǎo)通電阻Rds（on）是非常小的，一般都為毫歐級(jí)別，所以MOSFET在導(dǎo)通之后的壓降比較低。

效率更高

在相同的條件下，一般的MOS管的導(dǎo)通電壓降遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于普通肖特基二極管的正向?qū)▔航档?，所以在電流不變的情況下，MOS管的損耗功率遠(yuǎn)比二極管小，使用MOS管的效率會(huì)比使用二極管的效率會(huì)高。

需要額外的控制電路確保死區(qū)和下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)

MOS管需要驅(qū)動(dòng)電路，使得上下兩個(gè)MOS管能夠同步，而非同步的二極管是自然整流的，所以不需要額外添加驅(qū)動(dòng)控制電路。

成本較高

由于MOS管的價(jià)格比二極管高，同時(shí)還需要驅(qū)動(dòng)電路，所以在成本上會(huì)比較高一些。

以上就是針對(duì)開關(guān)電源的同步與非同步的介紹，實(shí)際選型就可以從各自的特點(diǎn)出發(fā)，根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。