聚合物阻變存儲器具有結(jié)構(gòu)簡單、可設(shè)計性強、制備容易以及成本低等優(yōu)點，在下一代數(shù)據(jù)存儲和邏輯電路等方面有著廣泛的應(yīng)用前景，引起了學術(shù)界及產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注。其中非易失性一次寫入多次讀取(WORM)存儲器具有非易失性和不可擦除的特性，可以實現(xiàn)存儲數(shù)據(jù)有效可靠地永久保存，在重要檔案、數(shù)據(jù)庫及電子標簽等領(lǐng)域具有應(yīng)用價值。前期研究工作中，研究者主要集中于器件中間層活性存儲材料的設(shè)計與制備，諸如有機-無機雜化材料、給體-受體共軛聚合物、金屬配合物和構(gòu)象轉(zhuǎn)變聚合物等，面臨著材料復雜、可靠性低等挑戰(zhàn)。因此，如何實現(xiàn)一種基于簡單材料、制備簡單、可靠性高聚合物存儲器的普適制備具有實際意義。

　　近日，南京工業(yè)大學先進材料研究院黃維院士與劉舉慶教授課題組受智于生活中閃電現(xiàn)象(既尖端產(chǎn)生高電場易擊穿絕緣體導通)，采用表面褶皺石墨烯薄膜為電極，中間存儲活性層采用常見的廉價絕緣性聚合物(諸如PMMA、PS、PVP等)，實現(xiàn)了一種非易失性高性能聚合物阻變存儲器件的普適性制備。該器件展現(xiàn)了典型的WORM存儲特性，具有優(yōu)異的重復性、較低的寫入電壓(2.7V）、較高的開關(guān)比(104)、良好的保持特性(104s)、柔性存儲等特性。通過一系列基于不同形貌電極的同種聚合物器件進行對比發(fā)現(xiàn)，表面褶皺是器件實現(xiàn)阻變存儲特性的關(guān)鍵。該種聚合物阻變存儲器具有材料普遍、可柔性制備、重現(xiàn)性好，性能高等突出優(yōu)點，為聚合物存儲技術(shù)的柔性化及應(yīng)用化研究提供了有益借鑒。