低端驅動：MOS管相對于負載在電勢的低端，其中D通過負載接電源，S直接接地。對于NMOS，只有當Vgs大于開啟電壓時，MOS管才能導通。所以當未導通時，S處于一個不能確定的電位。若讓Vgs大于開啟電壓，則DS導通，S確定為地電位，此時仍可以保證Vgs大于開啟電壓，保持DS導通。

而對于pMOS，只有到Vgs小于一個值，MOS才能導通。此時S處于一個不確定的電位。若讓Vgs小于開啟電壓，即使導通了，S確定下降到地電位，就不能保證Vgs小于開啟電壓。

高端驅動：MOS管相對于負載在電勢的高端，其中D直接連接電源，S通過負載接地。對于NMOS，只有當Vgs大于開啟電壓時，MOS管才能導通。所以當未導通時，S處于一個不能確定的電位。即使讓Vgs大于開啟電壓，DS導通后，DS電位相等，同為電源電位，除非G極電位比電源電位還高，則不能保持導通狀態(tài)。

而對于pMOS，只有到Vgs小于一個值，MOS才能導通。此時S處于一個不確定的電位。若讓Vgs小于開啟電壓，使DS導通，DS同為電源電位，還是能保持Vgs小于開啟電壓，是MOS保持導通狀態(tài)。

由上可知，pMOS適合作為高端驅動，NMOS適合作為低端驅動。但是由于工藝等各方面的原因。在大電流情況下，通常仍把NMOS作為高端驅動。于是，為了保證高端驅動的NMOS的Vgs保持大于開啟電壓。我們會使用半橋驅動芯片。半橋驅動芯片把高端驅動的NMOS的S極作為參考地，輸出一個恒定的開啟電壓，來控制MOS的導通。