鉅大鋰電 | 點(diǎn)擊量：0次 | 2020年02月10日
東芝推出搭載高效靜電放電保護(hù)的雙MOSFET“SSM6N813R
東京--東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）已推出搭載高效靜電放電保護(hù)的雙MOSFETSSM6N813R，該產(chǎn)品適用于需要耐高電壓和小尺寸的汽車應(yīng)用，包括LED前照燈驅(qū)動(dòng)器IC。量產(chǎn)出貨將于四月啟動(dòng)。.
100V的最大漏源極電壓（VDSS）可確保SSM6N813R適用于需要多個(gè)LED的前照燈應(yīng)用，高抗靜電能力為此提供支持。SSM6N813R采用最新工藝制造，使用TSOp6F封裝，具備1.5W的允許功耗和低導(dǎo)通電阻。此外，TSOp6F的封裝尺寸比SOp8封裝小70%。
應(yīng)用場(chǎng)合
汽車LED前照燈驅(qū)動(dòng)器
特點(diǎn)
小型封裝
高靜電保護(hù)等級(jí)
低RDS（ON）
主要規(guī)格
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