意法半導(dǎo)體的pWD13F60系統(tǒng)封裝（Sip）產(chǎn)品在一個(gè)13mmx11mm的封裝內(nèi)集成一個(gè)完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路，能夠?yàn)楣I(yè)電機(jī)驅(qū)控制器、燈具鎮(zhèn)流器、電源、功率轉(zhuǎn)換器和逆變器廠家節(jié)省物料成本和電路板空間。

不僅比采用分立器件設(shè)計(jì)的類(lèi)似全橋電路節(jié)省電路板空間60%，pWD13F60還能提升最終應(yīng)用的功率密度。市場(chǎng)上在售的全橋模塊通常是雙FET半橋或六顆FET三相產(chǎn)品，而pWD13F60則集成四顆功率MOSFET，是一個(gè)能效特別高的替代方案。與這些產(chǎn)品不同，只用一個(gè)pWD13F60即可完成一個(gè)單相全橋設(shè)計(jì)，這讓內(nèi)部MOSFET管沒(méi)有一個(gè)被閑置。新全橋模塊可靈活地配置成一個(gè)全橋或兩個(gè)半橋。

利用意法半導(dǎo)體的高壓BCD6s-Offline制造工藝，pWD13F60集成了功率MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器和上橋臂驅(qū)動(dòng)自舉二極管，這樣設(shè)計(jì)的好處是簡(jiǎn)化電路板設(shè)計(jì)，精簡(jiǎn)組裝過(guò)程，節(jié)省外部元器件。柵驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過(guò)優(yōu)化改進(jìn)，取得了高開(kāi)關(guān)可靠性和低EMI（電磁干擾）。該系統(tǒng)封裝還有交叉導(dǎo)通防護(hù)和欠壓鎖保護(hù)功能，有助于進(jìn)一步降低占位面積，同時(shí)確保系統(tǒng)安全。

pWD13F60的其它特性包括低至6.5V的寬工作電壓，配置靈活性和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易性得到最大限度提升。此外，新系統(tǒng)封裝輸入引腳還接受3.3V-15V邏輯信號(hào)，連接微控制器（MCU）、數(shù)字處理器（DSp）或霍爾傳感器十分容易。

pWD13F60即日上市，采用高散熱效率的多基島VFQFpN封裝。

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