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簡(jiǎn)析數(shù)字供電和模擬供電的不同之處

鉅大鋰電  |  點(diǎn)擊量:0  |  2019年12月27日  

數(shù)字供電和常見(jiàn)的模擬供電不同,前者采用了數(shù)字PWM,體積更小的整合了數(shù)字MOSFET和DRIVER的芯片,以及體積更小的數(shù)字排感,搭配多個(gè)MLCC;而模擬供電不同,采用傳統(tǒng)的PWM芯片,每相搭配2-4個(gè)體積比較大的MOSFET,每相搭配一個(gè)獨(dú)立的電感,而且會(huì)搭配容量比較大的電容。所以從外觀上,我們很容易分辨數(shù)字供電和模擬供電。


可看出影馳這款顯卡采用了數(shù)字PWMVT1165MF,體積非常小、整合MOSFET和DRIVER的CSP封裝VOLTERRA公司的VT1195SFMULTIPHASE電源芯片,以及CPL-4-50數(shù)字排感和MLCC,顯然這是典型的數(shù)字供電。不過(guò)數(shù)字供電的意義不僅僅在于體積,更在于性能。


數(shù)字供電采用的PWMIC


顯卡采用的PWM芯片為VT1165MF,在NVIDIA旗艦顯卡上很常見(jiàn),可以輕松搞定數(shù)百瓦功耗的頂級(jí)顯卡。通過(guò)VT1165MF組成的數(shù)字供電,轉(zhuǎn)換效率遠(yuǎn)高于模擬供電普遍保持的70-80%,而達(dá)到了90%.不僅僅如此,由它組成的數(shù)字供電還更為精確,GPU電壓峰值幅度僅140mV,而模擬供電GPU電壓峰值幅度卻有300mV.更精確的供電有利于保證GPU穩(wěn)定工作,超頻也更容易達(dá)到極限,壽命也更長(zhǎng)。


數(shù)字供電采用的MOSFET


上面我們已經(jīng)談到數(shù)字供電和模擬供電最明顯的特征之一,那就是MOSFET和DRIVER.這款數(shù)字供電顯卡采用了VT1195SF,內(nèi)部整合了MOSFET和DRIVER.相比模擬供電常采用的工作頻率在300KHz的MOSFET,數(shù)字供電MOSFET工作頻率非常高,達(dá)到了800KHz.更高的開(kāi)關(guān)頻率,使得數(shù)字供電瞬態(tài)性能更佳,功耗更低,轉(zhuǎn)換效率更高。同時(shí),數(shù)字供電可以驅(qū)動(dòng)的電流每相可以達(dá)到40A,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了模擬供電普遍30A的極限。結(jié)合這款顯卡4相數(shù)字供電設(shè)計(jì)來(lái)看,它可以提供電流達(dá)160A,這樣大的電流也更適合超頻。


不僅僅如此,數(shù)字供電的MOSFET可以承受的溫度更高,可以適應(yīng)更惡略的工作環(huán)境。普通模擬供電采用的MOSFET,盡管獨(dú)立設(shè)計(jì),相對(duì)散熱更好一些,但是它們最高能承受的溫度只有100度左右。而上面的數(shù)字MOSFET最高承受的溫度可達(dá)200度。這樣一來(lái),數(shù)字供電應(yīng)用范圍也更廣。拋開(kāi)成本來(lái)看,數(shù)字MOSFET件前景更光明。


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