DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復(fù)雜。

DC/DC開關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時擁有一個高側(cè)FET和低側(cè)FET的降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器，如圖1所示。這兩個FET會根據(jù)控制器設(shè)置的占空比進行開關(guān)操作，旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方程式如下：

圖1：降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖

FET可能會集成到與控制器一樣的同一塊芯片中，從而實現(xiàn)一種最為簡單的解決方案。但為了提供高電流能力及（或）達到更高效率，F(xiàn)ET需要始終為控制器的外部元件，這樣可以實現(xiàn)最大散熱能力，因為它讓FET物理隔離于控制器，并且擁有最大的FET選擇靈活性。缺點是FET選擇過程更加復(fù)雜，原因是要考慮的因素有很多。

一個常見問題是為什么不讓這種10AFET也用于我的10A設(shè)計呢？答案是這種10A額定電流并非適用于所有設(shè)計。選擇FET時需要考慮的因素包括額定電壓、環(huán)境溫度、開關(guān)頻率、控制器驅(qū)動能力和散熱組件面積。關(guān)鍵問題是，如果功耗過高且散熱不足，則FET可能會過熱起火。用戶可以利用封裝/散熱組件ThetaJA或者熱敏電阻、FET功耗和環(huán)境溫度估算某個FET的結(jié)溫，具體方法如下：

其他損耗形成的原因還包括輸出寄生電容、門損耗，以及低側(cè)FET空載時間期間導(dǎo)電帶來的體二極管損耗，但在本文中將主要討論AC和DC損耗。

圖2中高亮部分顯示了這種情況。根據(jù)公式4，降低這種損耗的一種方法是縮短開關(guān)的升時間和降時間。