因此，多晶大錠在切方成小硅錠后一般都需要通過機械研磨或化學拋光，去除或減少硅錠表面損傷層。

圖2某供應商硅錠未經機械研磨或化學拋光的硅片在電池線生產的平均碎片率約為1.5%左右，而其硅錠經過機械研磨之后的硅片，平均碎片率僅為0.7%，降低了一倍多。

硅片鋸痕、臺階和厚薄不均對太陽能電池性能的影響

針對某供應商的鋸痕、臺階和厚薄不均片等不良硅片進行了批量實驗。其中鋸痕片凹凸深度大于30um，臺階片深度為30-40um，厚薄不均片范圍為130-330um。

[page]鋸痕、臺階和厚薄不均片由于在硅片上存在局部區(qū)域的高低起伏和厚度差異，在電池制造的各道工序會因受力不均而引起碎片率的上升。在絲網(wǎng)印刷工序，尤其對于硅片局部區(qū)域高低突變的鋸痕和臺階片，很容易造成電極或背場的漏印，引起電極不良。

如圖3、4所示，鋸痕、臺階和厚薄不均片的碎片率、電極不良率和總報廢與不良率均明顯高于正常硅片，其中總報廢與不良率比正常硅片高了4%-10%。