Diodes公司（DiodesIncorporated）推出雙向MOSFETDMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護(hù)。DMN2023UCB4的低導(dǎo)通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級(jí)封裝則使設(shè)計(jì)人員能利用省下來(lái)的空間來(lái)提高電池容量。新產(chǎn)品的目標(biāo)終端市場(chǎng)包括智能手機(jī)、平板電腦、照相機(jī)、可攜式媒體播放器，以及尺寸、重量和電池壽命都對(duì)其至關(guān)重要的同類(lèi)型消費(fèi)性產(chǎn)品。

　　DMN2023UCB4的RSS（on）少于26mΩ，旨在以最低的導(dǎo)通電阻來(lái)減低功耗。此外，其雙N通道共汲極組態(tài)特別適合一般使用低側(cè)電池開(kāi)關(guān)的充電電路，從而滿足單電芯及雙電芯鋰電池的要求。至于要求高端連接的應(yīng)用，Diodes公司也推出了DMP2100UCB9，提供雙P通道共源MOSFET設(shè)計(jì)。

　　這款新一代雙向MOSFET憑藉這些功能，加上占位面積僅1.8mmx1.8mm、厚度少于0.4mm的芯片級(jí)封裝，非常適合注重外形小巧的電池管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)及電池保護(hù)應(yīng)用。其他功能還包括少于1V的閘極臨限電壓，有助于全面提升通道在低電壓下操作的效能，以及防止靜電放電電壓超過(guò)2kV的閘極保護(hù)能力。